发布时间:2025-11-10 20:16:01 作者:小编 点击量:
近日,在2025年OCP全球峰会上,英伟达正式推出了面向未来AI数据中心的,并发布了技术白皮书《下一代AI基础设施的800伏直流架构》。这一举措预示着AI数据中心供电系统正在经历一场深刻变革,也为整个
随着AI技术的迅猛发展,算力需求呈指数级增长,传统的数据中心供电架构已难以满足日益增长的功耗需求。英伟达的800V HVDC架构通过提高电压,显著降低了电流,从而减少了铜缆用量,降低了配线复杂度和安装成本。根据白皮书,800V HVDC架构凭借效率提升(比UPS高3-5个百分点)、铜耗减少(超45%)、空间优化(节省30%)等优势,成为AI数据中心电源主流方案。与传统54V架构相比,800VDC让电流降低15倍以上,铜损显著减少,布线更轻、更高效,从而解决AI集群日益严重的能源消耗和热管理问题。
英伟达在白皮书中给出了未来数据中心800V高压直流的技术演进路线VHVDC—SST(固态变压器)/中压整流器的终极方案。市场预计海外2026年下半年会有首个落地的800VHVDC项目,国内目前正处于项目试点阶段。从产业实际的落地节奏看,预计800VHVDC(2026年)-中压整流器—SST(2028年后)。固态变压器市场空间预测在500亿左右,其技术原理与高压电网的柔直技术、低压的逆变器和整流器的电力电子技术相通,只是数据中心的电压等级主要应用在10kV左右,因而当前参与研发的公司较多,但产业实际应用尚需时间。
英伟达在白皮书中明确指出,在未来兆瓦级AI系统中,传统硅器件的效率与热管理已接近极限。要在有限空间内实现更高算力密度与更低能耗,就必须采用能够在高电压、高频率下运行的新型功率器件。**氮化镓(GaN)**因此成为800V HVDC架构中不可或缺的关键技术。GaN器件能够在超高频率(高达1-10MHz)下保持低损耗运行,整体系统能效提升10–13%,功率密度提升50%以上。英诺赛科(Innoscience)被重点展示为800VDC生态体系的核心合作伙伴,作为全球领先、也是唯一覆盖15V至1200V全电压范围量产的GaN IDM企业,英诺赛科可提供从800V输入到1V GPU输出的全链路GaN解决方案。
英伟达800VDC架构的发布,标志着AI数据中心正式进入高压直流时代,也为氮化镓产业带来了前所未有的发展机遇。整个生态系统需要众多供应商的支持,这为国内具备技术实力的企业提供了机遇。例如,海特高新在氮化镓领域有所布局,其参股公司华芯科技的氮化镓出货量稳步增长。然而,800V架构的全面落地,需要产业链在连接器接口、通用电压范围、安全规范等方面建立统一标准。开放计算项目(OCP)已成为这一进程的重要平台。
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